SATA之王

系出名门

正真正揭开TR200真面目之前，我们还需要提及一个名字——OCZ，东芝数据年前收购的厂商，其旗下饥饿鲨系列TR100、TR150两代产品至今让不少玩家记忆犹新。而今天的这款TR200沿用了饥饿鲨的型号，而且也是由饥饿鲨团队联合开发。由于东芝的品牌远比OCZ更为知名，所以我们今天在TR200上看到的LOGO是TOSHIBA。

对于TR200，东芝用上了全新的3bit-per-cell TLC（1个存储器存储单元可存放3比特的数据）BiCS FLASH存储器，也是旗下首款采用64层3D闪存的升级版SSD。尤为可贵的是，TR200依旧定位主流消费群，性价比非常出色。

作为NAND闪存的发明人，东芝在技术上一直坚持自己的道路——其自行研发的3D FlASH使用的是BiCS技术。这也是一种垂直堆栈的3D闪存，比起2D NAND，BiCS FLASH中的存储器单元间隔更大，可以通过增加单次编程序列的数据量来提高编程速度，同时降低每个编程数据单元的功耗。此外，它还降低了单元的耦合性，提升了可靠性。我们留意到，TR200采用的是64层堆栈，存储密度的提升比此前的48层堆栈的BiCS闪存提升了40%，这也意味着性能有相应的提升，其典型活动能耗也会随之下降。

揭示创新

相信玩家们已经迫不及待地想和我们一起揭开TR200的真面目了。这是一块2.5英寸规格封装 、SATA 6Gbps标准接口的产品，容量有240GB、480GB及960GB（未来甚至可能推出1920GB的版本），我们收到的这块是最高容量——960GB。TR200通体采用铝合金外壳，质轻而坚固，极为巧妙的是，该硬盘通过巧妙的结构连接外壳与PCB，整体没有一颗螺丝，其工艺值得肯定。

轻松开启外壳后，TR200采用的PCB便展露在我们面前。它采用了正反双面布局，每边有4颗128GB的闪存封装颗粒（编号为TH58TFT0T23TA2H，这便是今年才开始量产的64层3D TLC闪存）。揭开正面的导热贴，我们还能看到TR200的主控，除了标明TOSHIBA LOGO外，我们看到其编号为TC58NC1010GSB，编码方式与当初TR150上使用的编号TC58NC1000GSB非常相似，有理由相信新主控采用了相当多的来自OCZ的专利。从构架上来看，这块芯片依旧保持了4核、8通道模式，并支持ECC等功能。

此外，相信不少朋友还留意到闪存颗粒为TLC，说不定又要嘀咕TLC的寿命问题。我们可以肯定的说，这样的担心完全没有必要，东芝的TLC颗粒已经非常成熟，与MLC相比在性能和寿命上已经几乎没有区别。尤其是得益于960GB的超大容量和东芝64层堆栈BiCS技术的可靠性，TR200的数据寿命达到了240TBW，目前市面上常见的480~960GB硬盘寿命不过是100-150TBW之间，好点能达到200TBW，所以我们看到东芝为TR200提供了3年质保，对这款产品可谓相当有信心。

虽然采用了64层堆栈的3D闪存，但受SATA 6Gbps接口的限制，TR200并不主打性能，官放宣称的顺序读写速度分别为550MB/s和525MB/s，随机读写速度为87K IOPS和80K IOPS。虽然性能在同类产品中属常规水准，但是功耗却是该硬盘的一大亮点：其休眠功耗为10mW，典型活动功耗为1.6W，比其他大容量SSD的3~5W低出很多，这意味着它能带来笔记本电脑更长的续航时间。

严苛测试

接下来的时间，我们会对TR200进行一系列严酷的测试，以评价其性能。在连续数据读写中，我们主要通过CrystalDiskMark、ATTO Disk Benchmark两个软件进行测试，前者的测试项目非常全面，涵盖连续读写、512K和4KB数据包随机读写性能，以及队列深度（Queue Depth）为32的情况下的4K随机性能。该硬盘的最大连续读取速度为535.5MB/s，写入517.1 MB/s；后者的64MB的读取速度更是高达559MB/s，最大连续写入则为540MB/s。

随机读写一向是SATA接口SSD的老大难，我们采用了AS SSD Benchmark进行测试，因为数据较为客观。测试结果上，TR200同样没令我们失望其随机写入为80178 iops，随机读取为70253 iops，与官方标称差距并不大。