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重磅!Qualcomm x SAMSUNG

打造10nm工艺全新骁龙835芯片

文/ 汤锅
前言 目前,骁龙835已经投入生产,预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中,骁龙835正是其后续产品

当骁龙820/821系列正在高歌猛进的时候,Qualcomm今日对外宣布了骁龙835的全新消息,这意味着将于明年上半年开始出货的骁龙835将率先得到得到一大批手机厂商的支持,这一轮芯片高歌将越唱越响。

 

今年10月,三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会显著提升电池续航。

 

Qualcomm Technologies. Inc.产品管理高级副总裁Keith Kressin表示:“我们非常高兴继续与三星合作,共同开发引领移动行业的产品。全新10纳米制程节点的采用,预计将使我们顶级系列的骁龙835处理器带来更低的功耗与更高的性能,同时也让我们能够增加诸多全新功能,从而提升未来的移动终端用户体验。”

 

三星执行副总裁及晶圆代工业务主管Jong Shik Yoon表示:“我们很高兴有机会与Qualcomm Technologies进行密切合作,采用我们的10纳米 FinFET工艺生产骁龙835。作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑,此次合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。”

 

以上,来自Qualcomm的骁龙835消息,是否会让你对明年搭载骁龙835芯片的终端更为期待呢?

 

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